EOS-1Ds Mark III作为佳能EOS系列数码单反相机新一代的旗舰王牌,EOS-1Ds Mark III采用了佳能独自设计研发生产的全画幅CMOS图像感应器,其尺寸和传统的35mm规格胶卷尺寸相同,它可以和佳能久负盛誉的EF镜头群完美配合,为专业摄影师带来超出想象的高素质照片!得益于两块同时并行处理的高性能DIGIC III,相机的图像处理速度达到EOS-1D Mark II N的四倍,强大的处理性能使得相机的最多一次连拍数量大大增加;使数据正写入存储卡期间的图像回放成为可能;自动白平衡也更加精准。
相机的双"DIGIC III"处理系统支持14位模拟/数字信号转换,支持更大的缓存,数据写入存储卡的速度更快,缓存清空速度也更快。同时JPEG图像压缩速度大大提高,这样在实时显示拍摄模式时约30帧/秒的帧频可以使实时显示非常流畅。EOS-1Ds Mark III的ISO范围实现了ISO 100-ISO 1600,并可以进一步扩 展到ISO 50(L)和ISO 3200(H)。
尽管EOS-1Ds Mark III具有约2110万的超高像素,但得益于其驱动装置(用于反光镜向下运动的新型防跳装置和反光镜抬起专用马达/快门控制专用马达双马达系统)、优化的拍摄顺序算法、新设计的快门单元、C
另外还可以通过佳能网站下载照片风格文件并应用于EOS-1Ds Mark III相机,实现更多的风格设置。对于每种风格,都可以精细调整其锐度、反差等设置,而且新的"照片风格"功能比以往相机上的"处理参数"设置的调整范围大大增加:标准、人像、风光、中性、可靠设置这5种风格,可以8级调整锐度(0-+7),9级调整反差、颜色饱和度和色调(-4-+4);对于单色的风格,可以8级调整锐度(0-+7),9级调整反差(-4-+4),另外可设置滤镜效果和色调效果。
EOS-1Ds Mark III采用重量轻但很坚硬的镁合金材料(顶部、前部、后部和存储卡插槽盖)。底盘和反光镜箱也由镁合金制造而成,使得机身非常强韧、坚固和轻便。镁合金同时具有优异的电磁屏蔽性能,可以很好的保护机身内部电路不受外界电磁的干扰。相机外表面的喷漆涂层,具有很高的耐磨性且具有极小的表面磨损,该涂层即使在恶劣的环境下也会很好的覆盖和保护镁合金骨架。
型号
图像处理器
感光元件
(mmxmm)
百
万
像
素
感光度(ISO)范围
显示屏
(尺寸,像素)
存储设备
最快
每秒连拍
速度
发布日期
质量
(千克)
尺寸 (WHD)
1Ds
DIGIC
35.8 × 23.8
CMOS
11.4
100-1250
2.0",
12万
CF
3
2002Q4
1.265
156 × 157.6 × 79.9mm
1Ds Mk II
DIGIC II
36.0 × 22.0
CMOS
16.7
100-1600
2.0",
23万
CF, SD
4.5
2004Q4
1.215
156 × 157.6 × 79.9mm
1Ds Mk III
Dual DIGIC III
36.0 × 24.0
CMOS
21
100-1600
3.0",
23万
CF, SD
5.0
2007Q4
1.210
156 × 159.6 × 79.9mm
1D
DIGIC
28.7 × 19.1
CCD
4
100-3200
2.0",
12万
CF
8.0
2001Q4
1.250
156 × 157.6 × 79.9mm
1D Mk II
DIGIC II
28.7 × 19.1
CMOS
8.2
50-3200
2.0",
23万
CF, SD
8.5
2004Q2
1.220
156 × 157.6 × 79.9mm
1D Mk II N
DIGIC II
28.7 × 19.1
CMOS
8.2
50-3200
2.5",
23万
CF, SD
8.5
2005Q3
1.225
156 × 157.6 × 79.9mm
1D Mk III
Dual DIGIC III
28.1 × 18.7
CMOS
10.1
100-3200
3.0",
23万
CF, SD
10
2007Q1
1.155
156 × 156.6 × 79.9mm
1D Mk IV
Dual DIGIC 4
27.9 × 18.6
CMOS
16.1
50-102400
3.0",
92万
CF, SD
10
2009Q4
1.180
156 × 156.6 × 80mm
1D X
Dual DIGIC 5+
36.0 × 24.0
CMOS
18.0
50-204800
3.2",
104万
CF
12/14
2011Q4
未知
158 × 163.6 × 82.7mm
5D
DIGIC II
35.8 × 23.9
CMOS
12.8
50-3200
2.5",
23万
CF
3
2005Q3
0.81
152 × 113 × 75mm
5D Mk II
DIGIC 4
35.8 × 23.9
CMOS
21.1
50-25600
3.0",
92万
CF
3.9
2008Q4
0.81
152 × 113 × 75mm
5D Mk III
DIGIC 5+
36 × 24
CMOS
22.3
100-102400
3.2",
104万
CF+SD
6
2012Q2
0.86
152.0 x 116.4 x 76.4mm
5D Mk IV
DIGIC 6+
36 × 24
CMOS
30.4
100-102400
3.2",
162万
CF/SD/SDHC/SDXC
7
2016Q8
0.89
150.7×116.4×75.9mm
7D
Dual DIGIC 4
22.3 × 14.9
CMOS
18
100-12800
3.0",
92万
CF
8
2009Q4
0.82
148.2 × 110.7 × 73.5mm
6D
DIGIC 5+
36 × 24
CMOS
20.2
100-102400
3.2",
104万
SD
4.5
2012Q3
0.675
144.5×110.5×71.2mm
D30
22.7 × 15.1
CMOS
3.1
100-1600
1.8",
12万
CF
3
2000Q2
0.78
150 × 107 × 75mm
D60
0
22.7 × 15.1
CMOS
6.3
100-1000
1.8",
12万
CF
3
2002Q1
0.78
150 × 107 × 75mm
10D
DIGIC
22.7 × 15.1
CMOS
6.3
100-3200
1.8",
12万
CF
3
2003Q1
0.79
149.7 × 107.5 × 75.0mm
20D
DIGIC II
22.5 × 15.0
CMOS
8.2
100-3200
1.8",
12万
CF
5
2004Q3
0.685
144 × 105.5 × 71.5mm
30D
DIGIC II
22.5 × 15.0
CMOS
8.2
100-3200
2.5",
23万
CF
5
2006Q1
0.7
144 × 105.5 × 73.5mm
40D
DIGIC III
22.2 × 14.8
CMOS
10.1
100-3200
3.0",
23万
CF
6.5
2007Q3
0.74
145.5 × 107.8 × 73.5mm
50D
DIGIC 4
22.3 × 14.9
CMOS
15.1
100-12800
3.0",
92万
CF
6.3
2008Q4
0.73
146 × 108 × 74mm
60D
DIGIC 4
22.3 × 14.9
CMOS
18
100-12800
3.0",
104万
SD
5.3
2010Q4
0.675
145 × 106 × 79mm
20Da
DIGIC II
22.5 × 15.0
CMOS
8.2
100-3200
1.8",
12万
CF
5
2005Q1
0.685
144 × 105.5 × 71.5mm
60Da
DIGIC 4
22.3 × 14.9
CMOS
18
100-12,800
3.0",
104万
SD
5.3
2012Q2
0.675
145 × 106 × 79mm
300D
DIGIC
22.7 × 15.1
CMOS
6.3
100-1600
1.8",
12万
CF
2.5
2003Q3
0.694
142 × 99 × 72.4mm
350D
DIGIC II
22.2 × 14.8
CMOS
8.0
100-1600
1.8",
12万
CF
3
2005Q1
0.54
126.5 × 94.2 × 64mm
400D
DIGIC II
22.2 × 14.8
CMOS
10.1
100-1600
2.5",
23万
CF
3
2007Q1
0.51
126.5 × 94.2 × 65mm
450D
DIGIC III
22.2 × 14.8
CMOS
12.2
100-1600
3.0",
23万
SD
3.5
2008Q2
0.475
128.8 × 97.5 × 61.9mm
500D
DIGIC 4
22.3 × 14.9
CMOS
15.1
100-12800
3.0",
92万
SD
3.4
2009Q1
0.48
129 × 98 × 62mm
550D
DIGIC 4
22.3 × 14.9
CMOS
18
100-012,800
3.0",
104万
SDXC
3.7
2010Q1
0.53
129 × 98 × 62mm
600D
DIGIC 4
22.3 × 14.9
CMOS
18
100-12800
3.0",
104万
SDXC
3.7
2011Q1
0.57
133.1 × 99.5 × 79.7mm
650D
DIGIC 5
22.3 × 14.9
CMOS
18
100-12800
3.0",
104万
SDXC
5
2012Q3
0.57
133.1 × 99.8 × 79.8mm
700D
DIGIC 5
22.3 × 14.9
CMOS
18
100-25600
3.0",
104万
SDXC
5
2013Q1
0.525
133.1 × 99.8 × 78.8mm
100D
DIGIC 5
22.3 × 14.9
CMOS
18
100-25600
3.0",
104万
SDXC
4
2013Q1
0.37
116.8 x 90.7 x 69.4mm
1000D
DIGIC III
22.2 × 14.8
CMOS
10.1
100-1600
2.5",
23万
SD
1.5/3
2008Q3
0.45
126.1 × 97.5 × 61.9mm
1100D
DIGIC 4
22.2 × 14.8
CMOS
12.1
100-6400
2.7",
23万
SDXC
2/3
2011Q1
0.495
130 × 100 × 78mm
EOS R系列2018年9月5日,佳能(中国)有限公司宣布推出EOS R系统,其中包括EOS R全画幅专微、4款RF镜头以及4款卡口适配器。作为新的相机及镜头影像系统,EOS R系统将进一步提升镜头设计自由度,拓展光学可能。
EOS R系统是为了最大限度地发挥以接近理想镜头进行设计产生的RF镜头的魅力而创建的影像系统。EOS R系统采用了新开发的RF卡口。通过大卡口直径以及短后对焦距离,不仅可以提升镜头设计时的自由度,同时镜头和相机之间的新卡口通信系统具备的优越性,进一步提高了画质表现和操作便利性。
机身还加入了多项有新系统特色的拍摄功能,例如全像素双核CMOS AF相位检测自动对焦技术,以及电子取景器(EVF)。此外,通过使用专门为其开发的卡口适配器,数量众多的现有EF以及EF-S镜头也能够得到使用,使用户能利用自身已有的镜头产品拍摄。